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服务名称

服务内容

服务期限

1

氧化镓毫米波雷达芯片工艺窗口验证与测试

1.芯片直流参数测试：测试基于

Gao材料的毫米波雷达芯片的

I-V特性、阈值电压、跨导、击

穿电压及接触电阻等直流参数；

2.芯片射频小信号测试：测试芯

片在片(On-wafer)S参数，提

取GaO材料器件的特征频率

（fT）、最高振荡频率（fmax)

及小信号增益；

3.芯片大信号与功率测试：针对

Gao材料的高功率特性，测试芯

片的功率增益、1dB压缩点

(P1dB)、饱和输出功率（Psat）、

功率附加效率（PAE）及三阶交

调;

3.芯片噪声与功能测试：测试芯

片噪声系数，并验证基于Gao材

料的毫米波雷达芯片在特定频

段下的波形发射、接收及调制解

调功能；

4.材料与工艺验证：结合测试数

据，提供关于Ga0材料特性（如

迁移率、缺陷密度）对芯片性能

影响的初步分析；“临界击穿电

场强度测试”：直接验证HVPE

外延层的缺陷密度（缺陷会导致

提前击穿）。

5.可靠性测试：测试芯片在长时

间、高温、低温、高湿度等极端

条件下的工作稳定性。

合同签订后20天内